Datasheet SI5915DC-T1 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SI5915DC-T1	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si5915DC Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (Ω) 0.070 @ VGS = --4.5 V --8 0.108 @ VGS = --2.5 V 0.162 @ VGS = --1.8 V FEATURES ID (A) --4.6 --3.7 --3.0 D TrenchFETr Power MOSFET D Low Thermal Resistance D 40% Smaller Footprint Than TSOP-6 APPLICA	Vishay Siliconix

SI5915DC Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SI5915DC	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si5915DC Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (Ω) 0.070 @ VGS = --4.5 V --8 0.108 @ VGS = --2.5 V 0.162 @ VGS = --1.8 V FEATURES ID (A) --4.6 --3.7 --3.0 D TrenchFETr Power MOSFET D Low Thermal Resistance D 40% Smaller Footprint	Vishay Siliconix
SI5915DC-T1	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si5915DC Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (Ω) 0.070 @ VGS = --4.5 V --8 0.108 @ VGS = --2.5 V 0.162 @ VGS = --1.8 V FEATURES ID (A) --4.6 --3.7 --3.0 D TrenchFETr Power MOSFET D Low Thermal Resistance D 40% Smaller Footprint	Vishay Siliconix

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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