|
|
Datasheet 13003BR Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 13003BR | MJE13003BR
MJE13003
FEATURES Power dissipation PCM : 1.25
NPN SILICON TRANSISTOR
TO 126
W
Tamb=25
1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER
Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-em |
ETC |
1300 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
13003 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
Elite Enterprises |
|
13001 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
Elite |
|
13007 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
Elite |
Esta página es del resultado de búsqueda del 13003BR. Si pulsa el resultado de búsqueda de 13003BR se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |