|
|
Datasheet V60170G-M3 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | V60170G-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com
V60170G-M3
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-220AB
V60170G
3 2 1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV) VRRM IFSM VF at IF = 30 A TJ max. Package
2 x 30 A 170 V 2 |
 Vishay |
 |
V60170G Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| V60170G-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
|
| Esta página es del resultado de búsqueda del V60170G-M3. Si pulsa el resultado de búsqueda de V60170G-M3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Enlace url :
[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |