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SVF13N50F PDF Datasheet Search Results

No Part number Description ( Function ) Manufacturers PDF
1 SVF13N50F
500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可

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SVF13N5 Data sheets

Part No Description ( Function) Manufacturers PDF
SVF13N50F   500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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SVF13N50T   500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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SVF13N50PN   500V N-channel enhancement mode MOSFET

东森微电子 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 说明书 2 SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产

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