FHP PDF Datasheet Search Results |
| No | Part number | Description ( Function ) | Manufacturers | |
| 22 | FHP10N60 | N-channel enhancement mode power MOS FET Free Datasheet http:// FHP10N60说明书 描述 FHP10N60 为 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS场效应管。该产品可广泛适用于 AC-DC开 关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达 驱动。 特点 ★ ★ ★ 10A,600V,RDS(on)(典型值）0.7Ω 低电荷、低反向传输电容 开关速度快 极限值（TC =25℃） 参数 |
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| 21 | FHP12N60 | N-channel enhancement mode power MOS FET 描述 FHP12N60 为 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS场 效应管 。该产品可广泛适用于 AC-DC开 关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达 驱动。 特点 ★ 12A,600V,RDS(on)(典型值）0.6Ω ★ 低电荷、低反向传输电容 ★ 开关速度快 FHP12N60说明书 极限值（TC=25℃） 参数名称 漏极—源极电压 漏极电流 TC= |
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| 20 | FHP20100 | Schottky diodes 1 1.A 2.K 3.A 72 Available RoHS* COMPLIANT 1 1.A 2.K 3.A 72) VRRM IF(AV) IFSM EAS IRRM dv/dt TJ,TSTG VBR IR=10mA TA=25 VF IF=5A IF=10A TA=25 IR VR=70V VR=100V TA=25 义݅义 100 TA = 150 °C TA = 125 °C 10 TA = 25 °C 1 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 (V) 1. ( ) 100 TA = 150 °C 10 TA = 125 °C 1 0.1 0. |
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| 19 | FHP20200 | Transistor 20200 1 1.A 2.K 3.A 72 Available RoHS* COMPLIANT VRRM IF(AV) IFSM EAS IRRM dv/dt TJ,TSTG 1 1.A 2.K 3.A TO-220F is VBR IR=1.0mA TA=25 VF IF=5A IF=10A TA=25 IR VR=180V VR=200V TA=25 第1页共4页 瞬态正向电流（A） 瞬态反向电流（mA） 100 TA = 150 °C TA = 125 °C 10 TA = 100 °C 1 TA = 25 °C 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 (V) 1 () |
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| 18 | FHP20N40 | N-channel enhancement mode power MOS field FET )+31 *'672 VDS ID VGS PD TJ Tstg EAS ' * 6 Ciss Coss Crss VDS=9,9*6 9I 0+] VDS 9,V*6 9I 0+] VDS=25v,VGS 9I 0+] 义݅义 ⢩ᙗ৲ᮠ٬ 7& Ϩ& ৲ᮠ䈤᰾ ㅖਧ ┿Ⓚ৽ੁ⭥ BVDSS ┿Ⓚᡚ→⭥⍱ IDSS ḵⓀᡚ→⭥⍱ IGSS(F/R) 䙊ᘱ⭥䱫 RDS(ON) ḵⓀᶱᔰ⭥ |
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| 17 | FHP2N60 | N-Channel MOSFET FHP2N60/FHF2N60 * '6 72 *' 6 72) ' * 6 VDSS ID VGSS PD TJ Tstg EAS FHP2N60 54 23 Ciss Coss Crss VDS=25V,VGS =0V,f=1.0MHZ VDS=25V,VGS =0V,f=1.0MHZ VDS=25V,VGS =0V,f=1.0MHZ ⡍ᗻখ᭄ؐ 7& 嘙& খ᭄䇈ᯢ ヺো ⓣ⑤ড⬉य़ BVDSS ⓣ⑤ℶ⬉⌕ IDSS ᷙ⑤ℶ⬉⌕ IGSS(F/R) 䗮ᗕ⬉䰏 RDS(ON) ᷙ⑤ᵕᓔਃ⬉य़ 䎼ᇐ |
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