No | Part number | Description ( Function ) | Manufacturers | |
19 | BPY11 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, S |
Siemens Semiconductor Group |
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18 | BPY11P | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, S |
Siemens Semiconductor Group |
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17 | BPY11PIV | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, S |
Siemens Semiconductor Group |
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16 | BPY11PV | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, S |
Siemens Semiconductor Group |
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15 | BPY12 | Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anwendungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especia |
Siemens Semiconductor Group |
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14 | BPY12H1 | Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anwendungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especia |
Siemens Semiconductor Group |
List of most widely used semiconductors
Part Number | Function | Manufacturers | |
1N4007 | The 1N4007 is a rectification diode that is designed for high-voltage applications, typically up to 1000V. It has a maximum current rating of 1A and a forward voltage drop of around 0.7V. |
Vishay |
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LM317 | This is a popular adjustable voltage regulator. |
ON Semiconductor |
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6N137 | LM393 | 2N3906 | 2N2222 | TIP120 | 1N5818 | LM324N | A1015 | SMAJ20CA |