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PDF RQ3E080BN Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RQ3E080BN
Descripción N-ch 30V 8A Middle Power MOSFET
Fabricantes ROHM Semiconductor 
Logotipo ROHM Semiconductor Logotipo



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RQ3E080BN
  Nch 30V 8A Middle Power MOSFET
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
30V
15.2mΩ
±8A
2W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) High Power Package (HSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
4) Halogen Free.
lOutline
HSMT8
 
 
      
lInner circuit
   Datasheet
      
 
 
 
      
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
330
lApplication
Switching
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
12
3000
Taping code
TB
Marking
E080BN
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
VDSS
ID
ID,pulse*1
VGSS
PD*2
Tj
Tstg
30
±8
±32
±20
2
150
-55 to +150
V
A
A
V
W
                                              
                                                                                        
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RQ3E080BN pdf
RQ3E080BN
      
lElectrical characteristic curves
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
        
Datasheet
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
 Temperature
                                                                                          
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RQ3E080BN arduino
RQ3E080BN
lDimensions
      
                Datasheet
                                                                                          
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RQ3E080BNN-ch 30V 8A Middle Power MOSFETROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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