DataSheet.es    


PDF IPB34CN10NG Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPB34CN10NG
Descripción Power-Transistor
Fabricantes Infineon 
Logotipo Infineon Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de IPB34CN10NG (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 12 Páginas

No Preview Available ! IPB34CN10NG Hoja de datos, Descripción, Manual

IPB34CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G
OptiMOS2 Power-Transistor
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
Product Summary
VDS
RDS(on),max (TO252)
ID
100 V
33 mW
27 A
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
IPB34CN10N G
IPD33CN10N G
IPI35CN10N G
IPP35CN10N G
Package
Marking
PG-TO263-3
34CN10N
PG-TO252-3
33CN10N
PG-TO262-3
35CN10N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
PG-TO220-3
35CN10N
Value
Unit
Continuous drain current
I D T C=25 °C
T C=100 °C
Pulsed drain current2)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=27 A, R GS=25 W
Gate source voltage3)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)J-STD20 and JESD22
2) see figure 3
3) Tjmax=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V
27
20
108
47
±20
58
-55 ... 175
55/175/56
A
mJ
V
W
°C
Rev. 1.091
page 1
2013-07-25

1 page




IPB34CN10NG pdf
5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
150
100
IPB34CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G
6 Typ. drain-source on resistance
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
80
10 V
4.5 V
5V
5.5 V
8V
60
7V
50 6.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
0
0123
VDS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
50
4
40
20
0
50
ID [A]
20
8 Typ. forward transconductance
g fs=f(I D); T j=25 °C
50
6V
8V
10 V
40 40
30 30
175 °C
20 20
25 °C
10 10
0
0
Rev. 1.091
246
VGS [V]
0
80
page 5
10 20 30 40 50
ID [A]
2013-07-25

5 Page





IPB34CN10NG arduino
PG-TO252-3: Outline
IPB34CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G
Rev. 1.091
page 11
2013-07-25

11 Page







PáginasTotal 12 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet IPB34CN10NG.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPB34CN10NGPower-TransistorInfineon
Infineon

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar