DataSheet.es    


Datasheet TXY8205A Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Category
1TXY8205ADual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET

Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE 器件型号 BVDSS 漏-源极电压 TXY8205A 20V ID 电流 6A RDS(ON) (Typ.) 导通电阻 (典型值) 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V FEATURES 特点 High density cell trench design for low RDS(ON) 高密�
TMOS
TMOS
mosfet


TXY Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Catagory
1TXY8205Dual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET

TXY8205 Dual N CHANNEL High Density Trench MOSFET TYPE TXY8205 BVDSS 20V RDS(ON) 25mΩ@VGS=4.5V 35mΩ@VGS=2.5V ID 6A 4A Green Product Pin Description FEATURES High Density cell trench design for low Rds(on) Rugged and reliable Surface Mount package Lead Free Available(Green Product) ABSOLU
TMOS
TMOS
mosfet
2TXY8205ADual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET

Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE 器件型号 BVDSS 漏-源极电压 TXY8205A 20V ID 电流 6A RDS(ON) (Typ.) 导通电阻 (典型值) 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V FEATURES 特点 High density cell trench design for low RDS(ON) 高密�
TMOS
TMOS
mosfet



Esta página es del resultado de búsqueda del TXY8205A. Si pulsa el resultado de búsqueda de TXY8205A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.


nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
Sanken
PDF


DataSheet.es    |   2020    |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Sitemap