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PDF SVF4N70F Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SVF4N70F | |
| Descripción | N-channel enhancement mode MOSFET | |
| Fabricantes | SL | |
| Logotipo |  |
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4A、700V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用
士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工
艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越
的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 4A，700V，RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
SVF4N70F 说明书
产品规格分类
产品名称
SVF4N70F
封装形式
TO-220F-3L
打印名称
SVF4N70F
材料
无铅
包装形式
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号：1.2 2012.05.16
共7页 第1页
1 page  
SVF4N70F 说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
50KΩ
10V
VDS
12V 200nF
300nF
Qg
Qgs Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
10V
VDS
VGS
RG
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG
10V
tp
VDS
ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1
2
LIAS2
BVDSS
BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t)
tp
VDS(t)
Time
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号：1.2 2012.05.16
共7页 第5页
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SVF4N70F | N-channel enhancement mode MOSFET | SL |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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