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Número de pieza | 2SD357 | |
Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
Fabricantes | INCHANGE | |
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isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD357
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SB527
APPLICATIONS
·Designed for AF high power dirver applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
110 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
100 V
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
0.8 A
1
W
10
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website:www.iscsemi.cn
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PDF Descargar | [ Datasheet 2SD357.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2SD350A | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
2SD352 | Ge NPN Alloy Junction | ETC |
2SD352 | (2SD334 / 2SD353) SI NPN DIFFUSED JUCTION MESA | Panasonic Semiconductor |
2SD355 | NPN Transistor | ETC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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