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What is GT10G101?

This electronic component, produced by the manufacturer "Toshiba", performs the same function as "SIlicon N-Channel MOS Type".


GT10G101 Datasheet PDF - Toshiba

Part Number GT10G101
Description SIlicon N-Channel MOS Type
Manufacturers Toshiba 
Logo Toshiba Logo 


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No Preview Available ! GT10G101 datasheet, circuit

東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT
GT10G101
GT10G101
直列式自動調光ストロボ用
取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
飽和電圧が低い。
: VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A)
ゲート駆動電圧が低い。 : VGE = 20V (標準) (IC = 130A)
単位: mm
最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
コレクタ・エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
DC
1ms
Ta = 25°C
コレクタ損失
Tc = 25°C
接合温度
保存温度
締付けトルク
VCES
VGES
IC
ICP
PC
PC
Tj
Tstg
定格
単位
400
±25
10
130
2.0
30
150
55150
0.6
V
V
A
W
°C
°C
Nm
電気的特性 (Ta = 25°C)
JEDEC
EIAJ
東芝
2-10R1C
項目
記号
測定条件
ゲート漏れ電流
コレクタしゃ断電流
ゲート・エミッタ間しゃ断電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
入力容量
上昇時間
ス イ ッ チ ン グ ターンオン時間
時 間下 降 時 間
ターンオフ時間
熱抵抗
IGES
ICES
VGE (OFF)
VCE (sat)
Cies
tr
ton
tf
toff
Rth (j-c)
VGE = ±25V, VCE = 0
VCE = 400V, VGE = 0
IC = 1mA, VCE = 5V
IC = 130A,
VGE = 20V (パルス)
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
最小 標準 最大 単位
― ― ±100 nA
― ― 10 μA
457V
5 8 V
1350
pF
0.1 0.5
0.15 0.5
μs
4.0 6.0
4.5 7.0
― ― 4.16 °C / W
000629TAA1
当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご
使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入者側の責任におい
て、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべき注意事項や条件
について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」などでご確認ください。
本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機
器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体
に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置な
) にこれらの製品を使用すること (以下 特定用途という) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に
掲載されている製品を当該特定用途に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。
本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社および第三者の知的
財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
2001-01-31 1/3


Part Details

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for GT10G101 electronic component.


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Featured Datasheets

Part NumberDescriptionMFRS
GT10G101The function is SIlicon N-Channel MOS Type. ETCETC
GT10G101The function is SIlicon N-Channel MOS Type. ToshibaToshiba
GT10G102The function is SIlicon N-Channel MOS Type. ETCETC

Semiconductors commonly used in industry:

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LM324   |   BC327   |   IRF840  |   2N3904   |  



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