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PDF BU3150F Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BU3150F | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | Jingdao | |
| Logotipo |  |
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深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
BU3150F NPN 功率三极管
* 主要用途 ：
各类功率开关电路。
* 主要特点：
硅三重扩散平面工艺
输出特性好、电流容量大。
TEL：0755-29799516
FAX：0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
B 基极 C 集电极 E 发射极
极限值：( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称 符号
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
集电极－发射极反向漏电流
集电极－基极反向漏电流
发射极－基极反向漏电流
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
共发射极直流电流增益
HFE
集电极－发射极饱和压降
下降时间
特征频率
VCE (sat)
tf
fT
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
额定值
≥ 800
≥ 1100
≥9
1.5
35
150
－ 55 ～ 150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
测试条件
IC=1mA；
IB=0
IC=1mA；
IE=0
IE=1mA；
IC=0
VCE=750V； IB=0
VCB=1050V ； IE=0
VEB=7V；
IC=0
VCE=5V；
IC=100mA
VCE=5V；
IC=1mA
IC=0.5A； IB=0.2A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=300V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
规范值
最小值 最大值
800
1100
9
20
10
10
15 35
8
0.6
0.5
4
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
Jingdao Electronic Corporation V01
1/3
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BU3150 | NPN Transistor |  ETC |
| BU3150 | NPN Transistor |  Jingdao Electronic |
| BU3150AF | NPN Transistor | ETC |
| BU3150AF | NPN Power Transistor |  Shenzhen Jingdao Electronic |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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