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PDF CS2N60F Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS2N60F | |
| Descripción | VDMOS Transistor | |
| Fabricantes | ETC | |
| Logotipo |  |
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华晶分立器件
CS2N60(F)
CS2N60(F)型 VDMOS 晶体管
1.概述与特点
CS2N60(F)是 N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管，主要用于电源适配器、充电器等各种功率开
关电路。
具有如下特点：
● 开关速度快
● 通态电阻小
● 可并联使用
● 驱动简单
封装形式：
产品名称
CS2N60
CS2N60F
封装形式
TO-220
TO-220F
VDSS
600V
RDS(ON)MAX
4.6Ω
ID
2.1A
2.电特性
2.1 极限值（除非另有规定，TC=25℃）
参数名称
符号
CS4N60
CS4N60F
单位
漏源反向电压
VDSS
600
V
漏极电流(连续)
漏极电流(脉冲)
ID 2.1
IDM 8.4
A
栅源反向电压
VGS ±30
V
单脉冲能量
EAS 84 mJ
热阻（结到壳）
热阻（结到环境）
RθJC
RθJA
2.3 5.5
62.5 62.5
℃/W
耗散功率
PD 54 23 W
最高结温
贮存温度
TJ
TSTG
150
-55～150
℃
2.2 电参数（除非另有规定，TC=25℃）
2.2.1 截止特性
参数名称
符号
测试条件
规范值
最小 典型 最大
单位
漏源反向电压
反向电压的温度系数
漏源截止电流
栅源截止电流
BVDSS
∆BVDSS/∆TJ
IDSS
IGSS
VGS=0V, ID=250µA
ID = 250µA
VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125℃
VGS = ±30V
600
V
0.7 V/℃
25
250 µA
±100 nA
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 page  
华晶分立器件
图九 RDS(ON)-ID曲线
CS2N60(F)
图十 RDS(ON)-TJ曲线
ID(A)
图十一 VGS(TH)-TJ曲线
图十二 C-VDS曲线
TJ(℃)
TJ(℃)
VDS(V)
第5页共5页
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS2N60 | N-CHANNEL MOSFET |  LZG |
| CS2N60 | VDMOS Transistor | ETC |
| CS2N60A3H | Silicon N-Channel Power MOSFET |  Huajing Microelectronics |
| CS2N60A4H | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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