|
|
PDF 2N3906 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N3906 | |
| Descripción | Si-Epitaxial PlanarTransistors | |
| Fabricantes | Diotec Semiconductor | |
| Logotipo |  |
|
 1. -40V, PNP Transistor - KEC  Hay una vista previa y un enlace de descarga de 2N3906 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
2N3905, 2N3906
PNP
Version 2004-01-20
Standard Pinning
1=C 2=B 3=E
Si-Epitaxial PlanarTransistors
Switching Transistors
PNP
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25/C)
Collector-Emitter-voltage
B open
Collector-Base-voltage
E open
Emitter-Base-voltage
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak collector current – Kollektorspitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- VCE0
- VCE0
- VEB0
Ptot
- IC
- ICM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25/C)
2N3905, 2N3906
40 V
40 V
5V
625 mW 1)
100 mA
200 mA
150/C
- 55…+ 150/C
Characteristics (Tj = 25/C)
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- IC = 50 mA, - IB = 5 mA
- VCEsat
- VCEsat
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- IC = 50 mA, - IB = 5 mA
- VBEsat
- VBEsat
Collector cutoff current – Kollektorreststrom
- VCE = 30 V, - VEB = 3 V
- ICEV
Emitter cutoff current – Emitterreststrom
- VCE = 30 V, - VEB = 3 V
- IEBV
Kennwerte (Tj = 25/C)
Min.
Typ.
Max.
– – 250 mV
– – 400 mV
– – 850 mV
– – 950 mV
– – 50 nA
– – 50 nA
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
32
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet 2N3906.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N3902 | HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS |  Boca Semiconductor Corporation |
| 2N3902 | Bipolar Transistor |  Multicomp |
| 2N3902 | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |  Microsemi |
| 2N3902 | Bipolar NPN Device |  Seme LAB |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |