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PDF BU3150AF Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BU3150AF | |
| Descripción | NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Shenzhen Jingdao Electronic | |
| Logotipo |  |
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深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL：0755-29799516
FAX：0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
BU3150AF NPN Power Transistor
*Applications：
◆ Electronical Ballasts for fluorescent lighting
◆ Charger and Switch mode power supplies
*Features：
◆ High Current capacity
◆ High switching speed
◆ Wide safe operation area
B.Base C.Collector E.Emitter
Absolute Maximum Ratings：( Tc=25℃ unless specified)
Parameter
Symbol
Value
Collector-Emitter Voltage
BVCEO
≥ 800
Collector-Base Voltage
BVCBO
≥ 1100
Emitter-Base Voltage
BVEBO
≥9
Collector Current
Icm 3
Total Power Dissipation
Pcm 50
Junction Temperature
Tjm 150
Storage Temperature
Tstg － 55 ～ 150
Unit
V
V
V
A
W
℃
℃
Electronical Characteristic： ( Tc=25℃ unless specified)
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter cut-off current
Collector-Base cut-off current
Emitter-Base cut-off current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Fall time
Typical Frequency
Symbol
Test conditions Min. Max. Unit
BVCEO
BV CBO
BV EBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
IC=1mA；
IB=0
IC=1mA；
IE=0
IE=1mA；
IC=0
VCE=750V； IB=0
VCB=1050V ； IE=0
VEB=7V；
IC=0
VCE=5V；
IC=0.2A
VCE=5V；
IC=1mA
IC=1A；
IB=0.5A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=300V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
800
1100
9
15
8
4
20
10
10
35
0.6
0.5
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
Jingdao Electronic Corporation V01
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BU3150AF | NPN Transistor |  ETC |
| BU3150AF | NPN Power Transistor | Shenzhen Jingdao Electronic |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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