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PDF 2SD649 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD649 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD649
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Reliability
APPLICATIONS
·Designed for line-operated horizontal deflection output
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
PARAMETER
i.cnCollector-Base Voltage
.iscsemCollector-Emitter Voltage
wwwEmitter-Base Voltage
VALUE
UNIT
1500
V
1500
V
5V
www.DataSheICet4U.comCollector Current- Continuous 3 A
ICP Collector Current-Pulse
PC
Collector Power Dissipation
@ TC≤90℃
TJ Junction Temperature
5A
35 W
130 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~130
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD640 | High Voltage Switching Applications |  Toshiba |
| 2SD641 | High Voltage Switching Applications | Toshiba |
| 2SD641 | SILICON POWER TRANSISTOR |  SavantIC |
| 2SD642 | Silicon NPN Triple Diffused Mesa Transistor |  ETC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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