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PDF 2SD2524 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD2524 | |
| Descripción | Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD2524
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
：VCBO= 1700V (Min)
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
1700
V
VCES
Collector-Emitter Voltage
1700
V
wwwVEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current- Continuous
8A
ICM Collector Current-Peak
20 A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
TJ Junction Temperature
5A
100
W
3
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD2524 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD2525 | Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor |  Toshiba |
| 2SD2526 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR |  Toshiba Semiconductor |
| 2SD2527 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio) |  Panasonic Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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