DataSheet.es    


PDF H7N0602LM Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza H7N0602LM
Descripción Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes Renesas Technology 
Logotipo Renesas Technology Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de H7N0602LM (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 9 Páginas

No Preview Available ! H7N0602LM Hoja de datos, Descripción, Manual

H7N0602LD, H7N0602LS, H7N0602LM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1130-0600
Rev.6.00
Oct 16, 2006
Features
Low on-resistance
RDS (on) = 4.1 mtyp.
www.DataSheet4U.c4o.5mV gate drive devices
High Speed Switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A
(Package name: LDPAK (L) )
4
123
H7N0602LD
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK (S)-(1) )
4
123
H7N0602LS
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
RENESAS Package code: PRSS0004AE-C
(Package name: LDPAK (S)-(2) )
4
D
G
123
H7N0602LM
S
Rev.6.00 Oct 16, 2006 page 1 of 8

1 page




H7N0602LM pdf
H7N0602LD, H7N0602LS, H7N0602LM
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
200
10 V
160
120
www.DataSheet4U.com
80
5V
40 VGS = 0, –5 V
Pulse Test
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
500
IAP = 65 A
400
VDD = 25 V
duty < 0.1 %
Rg 50
300
200
100
0
25 50
75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c (t) = γ s (t) • θch – c
θch – c = 1.25°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
50
L
IAP
Monitor
D.U.T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.6.00 Oct 16, 2006 page 5 of 8

5 Page










PáginasTotal 9 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet H7N0602LM.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
H7N0602LDSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology
H7N0602LMSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology
H7N0602LSSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar