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PDF G6718 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | G6718 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/09/05
REVISED DATE :
G6718
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The G6718 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications.
Features
High Power: 850mW
High Current: 1A
Package Dimensions
D
E
S1
TO-92
S E A T IN G
PLANE
b1
e1
e
b
C
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
Parameter
Symbol
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current (DC)
IC
Collector Current (Pulse)
IC
Base Current
IB
Total Device Dissipation
PD
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature
Tstg
REF.
A
S1
b
b1
C
Millimeter
Min. Max.
4.45 4.7
1.02 -
0.36 0.51
0.36 0.76
0.36 0.51
REF.
D
E
L
e1
e
Millimeter
Min. Max.
4.44 4.7
3.30 3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42 2.66
Ratings
100
100
5
1
2
200
850
150
-55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
mW
Electrical Characteristics (TA = 25 unless otherwise noted)
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Test Conditions
BVCBO
100 - - V IC=100uA, IE=0
BVCEO
100 - - V IC=1mA, IB=0
BVEBO
5 - - V IE=10uA, IC=0
ICBO
- - 100 nA VCB=80V, IE=0
*VCE(sat)
- - 350 mV IC=350mA, IB=35mA
*hFE1
80 -
-
VCE=1V, IC=50mA
*hFE2
50 - 300
VCE=1V, IC=250mA
*hFE3
20 -
-
VCE=1V, IC=500mA
fT
50 -
- MHz VCE=10V, IE=50mA, f=100MHz
Cob - - 20 pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz
Classification Of hFE2
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
Rank
Range
A
50 ~ 115
B
95 ~ 300
2%
1/2
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| PDF Descargar | [ Datasheet G6718.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| G671 | (G670 / G671) Microprocessor Reset IC |  GMT |
| G6718 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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