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PDF GJ1182 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GJ1182 | |
| Descripción | PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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CORPORATION ISSUED DATE :2005/10/06
REVISED DATE :
GJ1182
PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GJ1182 is designed for medium power amplifier applications.
Features
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(Typ.)
Package Dimensions
TO-252
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 REF.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Pulse, Pw=100ms)
IC
Total Power Dissipation(TC=25 )
PD
Ratings
+150
-55~+150
-40
-32
-5
-2
-3
10
Unit
V
V
V
A
A
W
Electrical Characteristics (Ta = 25 , unless otherwise noted)
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Test Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*hFE
fT
Cob
-40 - - V IC=-50uA , IE=0
-32 - - V IC=-1mA, IB=0
-5 - - V IE=-50uA ,IC=0
- - -1 uA VCB=-20V, IE=0
- - -1 uA VEB=-4V, IC=0
-
-500
-800
mV IC=-2A, IB=-200mA
82 - 390
VCE=-3V, IC=-500mA
- 100 - MHz VCE=-5V, IC=-500mA, f=100MHz
- 50 - pF VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Classification Of hFE
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
Rank
P
Q
R
Range
82 ~ 180
120 ~ 270
180 ~ 390
2%
GJ1182
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GJ1182 | PNP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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