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Número de pieza | MG90V2YS40 | |
Descripción | Silicon N Channel IGBT GTR Module | |
Fabricantes | Toshiba | |
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No Preview Available ! TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG90V2YS40
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
MG90V2YS40
Unit: mm
l The electrodes are isolated from case.
l High input impedance
l Includes a complete half bridge in one package.
l Enhancement-mode
l High speed : tf = 1.5µs (max) (IC = 90A)
trr = 0.3µs (max) (IF = 90A)
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1ms
Forward current
DC
1ms
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw torque (Terminal / mounting)
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
VIsol
―
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 430g (typ.)
Rating
1700
±20
90
180
90
180
1100
150
−40 ~ 125
4000
(AC 1minute)
3/3
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m
―
―
2-109C1A
1 2001-08-16
1 page MG90V2YS40
5 2001-08-16
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PDF Descargar | [ Datasheet MG90V2YS40.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
MG90V2YS40 | Silicon N Channel IGBT GTR Module | Toshiba |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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