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PDF BG3130R Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BG3130R | |
| Descripción | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode | |
| Fabricantes | Infineon Technologies AG | |
| Logotipo |  |
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DUAL N-Channel MOSFET Tetrode
• Two gain controlled input stage for UHF
and VHF -tuners e.g. (NTSC, PAL)
• Two AGC amplifiers in one single package
• Integrated gate protection diodes
• High AGC-range, low noise figure, high gain
• Improved cross modulation at gain reduction
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101
BG3130...
4
5
6
3
2
1
BG3130
BG3130R
$#
*
)
"
!
AGC
RF
Input RG1
G2
G1
VGG
GND
Drain
RF Output
+ DC
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!
Type
BG3130
BG3130R
Package
SOT363
SOT363
Pin Configuration
1=G1* 2=G2 3=D* 4=D** 5=S
1=G1* 2=S 3=D* 4=D** 5=G2
Marking
6=G1** KAs
6=G1** KHs
* For amp. A; ** for amp. B
180° rotated tape loading orientation available
1 2007-06-01
1 page  
BG3130...
Total power dissipation Ptot = ƒ(TS)
amp. A = amp. B
300
mW
Drain current ID = ƒ(IG1)
VG2S = 4V
amp. A = amp. B
30
mA
200 20
150 15
100 10
50 5
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 150
TS
Output characteristics ID = ƒ(VDS)
amp. A = amp. B
22
mA
1.3V
18
1.2V
16
14
1.1V
12
10 1V
8
6
4 0.8V
2
0
0 2 4 6 8 10 V 14
VDS
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 µA 100
IG1
Gate 1 current IG1 = ƒ(VG1S)
VDS = 5V, VG2S = Parameter
amp. A = amp. B
225
µA
4V
175
3.5V
150
125
3V
100
75 2.5V
50
2V
25
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 V 3.2
IG1
5 2007-06-01
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BG3130R.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BG3130 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode | Infineon Technologies AG |
| BG3130R | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode | Infineon Technologies AG |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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