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PDF BS170 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BS170 | |
| Descripción | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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BS 170
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• VGS(th) = 0.8...2.0V
Type
BS 170
Type
BS 170
VDS
60 V
ID
0.3 A
Ordering Code
Q67000-S076
Pin 1
S
Pin 2
G
RDS(on)
5Ω
Package
TO-92
Marking
BS 170
Tape and Reel Information
E6288
Pin 3
D
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Gate source voltage
Gate-source peak voltage,aperiodic
Continuous drain current
TA = 25 °C
DC drain current, pulsed
TA = 25 °C
Power dissipation
TA = 25 °C
Symbol
VDS
VDGR
VGS
Vgs
ID
IDpuls
Ptot
Values
60
60
± 14
± 20
0.3
1.2
0.63
Unit
V
A
W
Semiconductor Group
1
12/05/1997
1 page  
BS 170
Power dissipation
Ptot = ƒ(TA)
0.70
W
0.60
Ptot 0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Safe operating area ID=f(VDS)
parameter : D = 0.01, TC=25°C
Drain current
ID = ƒ(TA)
parameter: VGS ≥ 10 V
0.32
A
ID
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Semiconductor Group
71
V
68
V(BR)DSS
66
64
62
60
58
56
54
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
5 12/05/1997
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BS170.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BS170 | TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement) |  Motorola Inc |
| BS170 | N-channel vertical D-MOS transistor |  NXP Semiconductors |
| BS170 | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) | Siemens Semiconductor Group |
| BS170 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |  Fairchild Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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