P13F28HP2 Datasheet PDF - SHINDENGEN
Part Number | P13F28HP2 | |
Description | Power MOSFET ( Transistor ) | |
Manufacturers | SHINDENGEN | |
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P13F28HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package:FTO-220AG(3pin)
280V13A
特長
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
煙高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
煙LowRON
煙FastSwitching
煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
0000
13F28H2
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(ピーク)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソース間ダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=13A,Tc=25℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1min
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3N・m)
-55~150
150
280
±30
13
52
13
65
13
45
4.5
350
2
0.5
℃
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=280V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=6.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=6.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=6.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=200V,VGS=10V,ID=13A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=6.5A,RL=23Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
280
─
─
4.7
─
3.00
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
9.4
0.23
3.75
─
─
15
630
7
90
18
35
55
27
─V
100 μA
±10 μA
─S
0.30 Ω
4.50
1.5
V
1.92 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─
─
ns
─
(MOS-p〈2014.09〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
|
|
Part DetailsOn this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for P13F28HP2 electronic component. |
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Featured Datasheets
Part Number | Description | MFRS |
P13F28HP2 | The function is Power MOSFET ( Transistor ). SHINDENGEN | |
Semiconductors commonly used in industry:
1N4148 |  
BAW56 |
1N5400 |
NE555 | | ||
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