PDF MT5VDDT1672H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	MT5VDDT1672H
Descripción	128MB DDR SDRAM Small-Outline DIMM
Fabricantes	Micron
Logotipo
Hay una vista previa y un enlace de descarga de MT5VDDT1672H (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 16 Páginas
No Preview Available ! 128MB, 256MB: (x72, ECC, SR) 200-Pin DDR SODIMM Features DDR SDRAM Small-Outline DIMM MT5VDDT1672H – 128MB MT5VDDT3272H – 256MB For component data sheets, refer to Micron’s Web site: www.micron.com Features • 200-pin, small-outline dual in-line memory module (SODIMM) • Fast data transfer rates: PC-2100, PC-2700, or PC-3200 • 128MB2 (16 Meg x 72) and 256MB (32 Meg x 72) • Supports ECC error detection and correction • VDD = VDDQ = +2.5V • VDDSPD = +2.3V to +3.6V • JEDEC-standard 2.5V I/O (SSTL_2-compatible) • Commands entered on each positive CK edge • DQS edge-aligned with data for READs; center- aligned with data for WRITEs • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/ received with data (source-synchronous data capture) • Differential clock inputs (CK and CK#) • Four internal device banks for concurrent operation • Selectable burst lengths (BL): 2, 4, or 8 • Auto precharge option • Auto refresh and self refresh modes: 7.8125µs maximum average periodic refresh interval • Serial presence-detect (SPD) with EEPROM • Selectable READ CAS latency for maximum compatibility • Gold edge contacts Figure 1: 200-Pin SODIMM (MO-224 R/C C) Module height: 31.75mm (1.25in) Options Marking • Operating temperature1 – Commercial (0°C ≤ TA ≤ +70°C) – Industrial (–40°C ≤ TA ≤ +85°C) • Package – 200-pin SODIMM (standard)2 None I G – 200-pin SODIMM (Pb-free) Y • Memory clock, frequency, CAS latency – 5ns (200 MHz), 400 MT/s, CL = 3 -40B3 – 6ns (167 MHz), 333 MT/s, CL = 2.5 -335 – 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2 -262 – 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2 -26A – 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2.5 -265 • PCB height – 31.75mm (1.25in) Notes: 1. Contact Micron for industrial temperature module offerings. 2. Consult factory for product availability. 3. -40B only available for 256MB modules. Table 1: Speed Grade -40B -335 -262 -26A -265 Key Timing Parameters Industry Nomenclature PC-3200 PC-2700 PC-2100 PC-2100 PC-2100 Data Rate (MT/s) CL = 3 400 – – – – CL = 2.5 333 333 266 266 266 CL = 2 266 266 266 266 200 tRCD (ns) 15 15 15 20 20 tRP (ns) 15 15 15 20 20 tRC (ns) 55 60 60 65 65 PDF: 09005aef80a8e793/Source: 09005aef80a8e767 dd5c16_32x72h.fm - Rev. F 2/07 EN 1 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. ©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved. Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice. 1 page 128MB, 256MB: (x72, ECC, SR) 200-Pin DDR SODIMM Functional Block Diagram Functional Block Diagram Figure 2: Functional Block Diagram DQS0 DM0 DQS1 DM1 S0# DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQS2 DM2 DQS3 DM3 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 UDQS UDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ LDQS LDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ CS# U1 UDQS UDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ LDQS LDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ CS# U2 DQS4 DM4 DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 DQS5 DM5 DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 UDQS UDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ LDQS LDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ CS# U4 DQS6 DM6 DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 DQS7 DM7 DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 UDQS UDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ LDQS LDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ CS# U5 DQS8 DM8 VDD VDD CB0 CB1 CB2 CB3 CB4 CB5 CB6 CB7 NC NC NC NC NC NC NC NC BA0–BA1 A0–A12 (128MB, 256MB) RAS# CAS# WE# CKE0 DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM SPD EEPROM SCL U3 WP A0 A1 A2 VSS SA0 SA1 SA2 VDDSPD SDA VDD VREF VSS UDQS UDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ LDQS LDM DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ CS# U6 SPD EEPROM DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM CK0 CK0# DDR SDRAM U1, U2 CK1 CK1# DDR SDRAM U4, U5 CK2 CK2# DDR SDRAM U6 PDF: 09005aef80a8e793/Source: 09005aef80a8e767 dd5c16_32x72h.fm - Rev. F 2/07 EN 5 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. ©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved. 5 Page 128MB, 256MB: (x72, ECC, SR) 200-Pin DDR SODIMM Serial Presence-Detect Serial Presence-Detect Table 11: Serial Presence-Detect EEPROM DC Operating Conditions All voltages referenced to VSS; VDDSPD = +2.3V to +3.6V Parameter/Condition Supply voltage Input high voltage: Logic 1; All inputs Input low voltage: Logic 0; All inputs Output low voltage: IOUT = 3mA Input leakage current: VIN = GND to VDD Output leakage current: VOUT = GND to VDD Standby current: SCL = SDA = VDD - 0.3V; All other inputs = VSS or VDD Power supply current: SCL clock frequency = 100 kHz Symbol VDDSPD VIH VIL VOL ILI ILO ISB ICC Min 2.3 VDDSPD × 0.7 –1 – – – – – Max 3.6 VDDSPD + 0.5 VDDSPD × 0.3 0.4 10 10 30 2 Units V V V V µA µA µA mA Table 12: Serial Presence-Detect EEPROM AC Operating Conditions All voltages referenced to VSS; VDDSPD = +2.3V to +3.6V Parameter/Condition SCL LOW to SDA data-out valid Time the bus must be free before a new transition can start Data-out hold time SDA and SCL fall time Data-in hold time Start condition hold time Clock HIGH period Noise suppression time constant at SCL, SDA inputs Clock LOW period SDA and SCL rise time SCL clock frequency Data-in setup time Start condition setup time Stop condition setup time WRITE cycle time Symbol tAA tBUF tDH tF tHD:DAT tHD:STA tHIGH tI tLOW tR fSCL tSU:DAT tSU:STA tSU:STO tWRC Min 0.2 1.3 200 – 0 0.6 0.6 – 1.3 – – 100 0.6 0.6 – Max 0.9 – – 300 – – – 50 – 0.3 400 – – – 10 Units µs µs ns ns µs µs µs ns µs µs kHz ns µs µs ms Notes 1 2 2 3 4 Notes: 1. To avoid spurious start and stop conditions, a minimum delay is placed between SCL = 1 and the falling or rising edge of SDA. 2. This parameter is sampled. 3. For a restart condition or following a WRITE cycle. 4. The SPD EEPROM WRITE cycle time (tWRC) is the time from a valid stop condition of a write sequence to the end of the EEPROM internal ERASE/PROGRAM cycle. During the WRITE cycle, the EEPROM bus interface circuit is disabled, SDA remains HIGH due to pull-up resis- tance, and the EEPROM does not respond to its slave address. PDF: 09005aef80a8e793/Source: 09005aef80a8e767 dd5c16_32x72h.fm - Rev. F 2/07 EN 11 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. ©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved. 11 Page

Páginas	Total 16 Páginas
PDF Descargar	[ Datasheet MT5VDDT1672H.PDF ]

Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
MT5VDDT1672A	128MB DDR SDRAM UDIMM	Micron
MT5VDDT1672H	128MB DDR SDRAM Small-Outline DIMM	Micron

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar