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PDF EMD98N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD98N10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD98N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID  16A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2014/7/30 
EMD98N10A
LIMITS 
±25 
16 
10.6 
45 
12 
7.2 
3.6 
39 
15 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.2 
75 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD98N10A pdf
 
  10
  I D  = 8A
 8
Gate Charge Characteristics
VD  S  = 50V
80V
 6
 
 4
 2
 
 
0
0
 
3 69
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
  EMD98N10A
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  =  0  V
700
600
500 Ciss
400
300
Coss
200
100
Crss
12
0
0 20 40 60 80 100
VD  S ‐ D rainSource V oltage( V  )
  M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
100
   R   D  S ( O N  )L im it
10
10uS
100uS
1mS
   D
1
C
0
10m
0mS
S
1
 
  0 .1
      V G   S  =   1 0 V
S in g le  P u lse
R    JC  =   3 . 2 ° C / W
  0.01
    T C      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
1000
3000
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
SRθi n J Cg =le 3 P.2u °Cls/eW
TC  = 25° C
0.1 1
10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
 
100
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  101 0.1
0.05
  0.02
  0.01
single pulse
  102
Note :
  1. RθJC(t)=3.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
 
 
2014/7/30 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD98N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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