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PDF EMD03N06E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD03N06E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD03N06E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
3.5mΩ 
ID 
180A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD03N06E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
180 
127 
540 
90 
405 
202 
277 
111 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=60A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.45 
62.5 
°C / W 
2015/9/10 
p.1 

1 page




EMD03N06E pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 20A
VD  S = 15V
 8
30V
 
 6
 4
  EMD03N06E
8000
6000
4000
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
Ciss
 
2
 
 
0
0
 
20 40 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
80
2000
0
0
Coss
Crss
15 30 45
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
  Maximum Safe Operating Area
  103
RDS(ON) Limited
 
  102
10μs
100μs
1ms
 
101
 
10ms
DC
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
Single Pulse
Rθ  JC  = 0.45 °C/W
TC  = 25 °C
2500
2000
1500
1000
  100
  TC=25°C
    RθJC=0.45°C/W
  Vgs=10V
  Single Pulse
  101
100
101 102
VDS, DrainSource Voltage( V )
 
500
0 0.01
0.1 1
10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
 
100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
0.05
 
0.02
  0.01
  102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=0.45°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
 
2015/9/10 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD03N06EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD03N06ESField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD03N06FSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD03N06HSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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