DataSheet39.com

EMP16N04HS Datasheet PDF - Excelliance MOS

Part Number EMP16N04HS
Description Field Effect Transistor
Manufacturers Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS Logo 



Preview ( 6 pages )
		
EMP16N04HS datasheet, circuit
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
1.6mΩ 
ID 
100A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMP16N04HS
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current1 
Pulsed Drain Current2 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
100 
100 
400 
Avalanche Current 
IAS  85 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy3 
L = 0.1mH, ID=85A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
361 
180 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
65 
26 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=40V NCH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient4 
RJA 
1 Package Limited. 
2Pulse width limited by maximum junction temperature. 
3Duty cycle  1 
450°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
1.9 
°C / W 
50 
2017/3/15 
p.1 

No Preview Available !


1 page
line_dark_gray
EMP16N04HS equivalent
  EMP16N04HS
 
 
 
  12
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  ID = 5 0 A
10
 
8
 
V DS =20V
 6
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
10 4
C is s
10 3 Coss
Crss
 4
10 2
 2
 0
0
 
30 60
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
90
f = 1 M Hz
V G S= 0  V
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VDS ‐D rainSource Voltage( V )
 
  1000
 
100
 
  10
 
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
R   d s ( o n )Lim it
1ms
D
1
C
0
0
1
m
0
s
m
s
1 0 μ s
1 0 0   μs
  1 V G   S  =   1 0 V
S in g le  P u lse
  R  θ J C  =   1 . 9  °C / W
T c   =   2 5  °C
  0 .1
0 .1
1 10
V D   S  , D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
 
100
3000
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
Single Pulse Maximum Power Dissipation
SRTiθC  n  J= Cg = l2e 15 °P. 9Cu° Cls/eW
0.1 1 10 100
Single Pulse Time ( mSEC ) 
1000
 
 1
D u ty  C y c le  =  0 .5
  0.5
0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
0.05
  0.02
0.03
0.01
  0.02
S in g le  P u ls e
  0.01
1 02
1 01
 
Transient Therm al Response Curve
Notes:
DM
1.D uty Cycle,D  =
t1
t2
2 .R θ  J C  = 1 .9 °C / W
3 .TJ  ‐  T C   =  P  *  R θ  J C  (t)
4 .R  θ J C (t )= r (t ) *  Rθ JC
1 10
t 1 ,T im e  ( m S E C  )
100
1000
 
 
 
 
 
2017/3/15 
p.5 

5 Page
line_dark_gray


Information Total 6 Pages
Download[ EMP16N04HS.PDF Datasheet ]

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Element14 Chip One Stop



Featured Datasheets

Part NumberDescriptionManufacturers
EMP16N04HSThe function is Field Effect Transistor.Excelliance MOS
Excelliance MOS

Quick jump to:

EMP1  1N4  2N2  2SA  2SC  74H  ADC  BC  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA 


DataSheet39.com is an Online Datasheet PDF Search Site.
It offers a large amount of data sheet, You can free PDF files download.
The updated every day, always provide the best quality and speed.



keyword : EMP16N04HS schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, manual

DataSheet39.com   |  2019   |  Privacy Policy |  Contact Us  | New  |  Search