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PDF EMB16P04V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB16P04V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB16P04V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
16mΩ 
ID 
20A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB16P04V
LIMITS 
±20 
20 
13 
80 
15 
11.25 
5.62 
2.5 
1.25 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2012/12/5 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB16P04V pdf
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  EMB16P04V
10
I D  = ‐ 10A
8
Gate Charge Characteristics
6
VD  S = ‐ 20V
4
2
0
0 15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
30
40
Maximum Safe Operating Area
100
10 R D S  (O  N  ) Limit
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
1 10s
DC
0.1
VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J A  = 50°C/W
TA   = 25°C
0.01
0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2012/12/5 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB16P04AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB16P04VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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