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PDF EMB07P03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB07P03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB07P03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
7.5mΩ 
ID 
15A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB07P03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=25A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
15 
11 
60 
25 
31.25 
2.5 
1.25 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2012/4/24 
 
 
25 
°C / W 
50 
p.1 

1 page




EMB07P03G pdf
 
10
I D  = ‐ 15A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
4
2
0
0 15 30 45 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
75
Maximum Safe Operating Area
100
RDS(ON) LIMIT
10
1
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
VGS= ‐10V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA= 125° C/W
TA= 25° C
0.01
0.01
0.1 1 10
VDS, DrainSource Voltage( V )
100
  EMB07P03G
7500
6000
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
4500
Ciss
3000
1500
0
0
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
25
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
   Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
t 1 ,Time (sec)
1
0.1
0.01
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Transient Thermal Resistance Curve
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
t1,TIME( sec )
1
RθJA(t)= r(t) * RθJA
RθJA= 125° C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
2012/4/24 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB07P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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