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PDF EMB25A06S Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB25A06S
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB25A06S Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
RDSON (MAX.) 
30mΩ 
ID  7A 
 
UIS, 100% Tested 
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
Avalanche Current 
IAS 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7A, Rated VDS=60V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
EMB25A06S
LIMITS 
±20 
7 
5 
28 
12 
7.2 
3.6 
5 
2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
2012/7/24 
p.1 

1 page




EMB25A06S pdf
  EMB25A06S
 
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 7A
 8
VD  S   = 15V
30V
 
6
 
 4
 2
 
 
0
0
 
15 30
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
45
60
3000
2700
2400
2100
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
Ciss
Coss
Crss
10
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
  R D S ( O N  )  Limit
10
 
 1
100μs
1ms
10ms
100ms
 
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
R  JA   = 125°C/W
    TA   = 25°C
1s
DC
  0.01
0.1
1
10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1
0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
 
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.R θ J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2012/7/24 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB25A06SField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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