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PDF EMB11A03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB11A03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB11A03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
11mΩ 
ID  12A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB11A03G
LIMITS 
±20 
12 
8.5 
48 
12 
7.2 
3.6 
2 
1.28 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/1/8 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB11A03G pdf
 
 
 
 
12
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  ID = 1 2 A
10
 
 8
 6
V DS =5V
15V
10V
 4
 
2
 
0
  0 4 8 12 16 20 24 28
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
 
  100
Maximum Safe Operating Area
  R D  S (O  N )  Limit
10
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 
1
 
1s
10s
DC
  0.1
    VG S  = 10V
Single Pulse
R  JA   = 125°C/W
    TA   = 25°C
0.01
0.1 1
10
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
  EMB11A03G
10 4
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
10 3
C iss
10 2
C o ss
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D R A IN S O U R C E  V O L T A G E  ( V  )
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/1/8 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB11A03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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