DataSheet39.com

EMB21A03G Datasheet PDF - Excelliance MOS

Part Number EMB21A03G
Description Field Effect Transistor
Manufacturers Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS Logo 



Preview ( 5 pages )
		
EMB21A03G datasheet, circuit
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
21mΩ 
ID  7.5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB21A03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
7.5 
5.5 
30 
Avalanche Current 
IAS  10 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
2.8 
1.4 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
0.8 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2012/10/25 
p.1 

No Preview Available !


1 page
line_dark_gray
EMB21A03G equivalent
 
 
  10
I D  = 8A
 
8
 
Gate Charge Characteristics
VD  S   = 5V
10V
15V
 6
 4
 
 2
 0
0
 
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
16
  EMB21A03G
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
30
  Maximum Safe Operating Area
  100
R D S ( O  N  ) Limit
 
10
 
1ms
10ms
100μs
 
1
 
100ms
1s
10s
DC
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J  A = 125° C/W
  T A  = 25° C
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
  0.1
0.05
 
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J A  =125° C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2012/10/25 
p.5 

5 Page
line_dark_gray


Information Total 5 Pages
Download[ EMB21A03G.PDF Datasheet ]

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Element14 Chip One Stop



Featured Datasheets

Part NumberDescriptionManufacturers
EMB21A03GThe function is Field Effect Transistor.Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB21A03VThe function is Field Effect Transistor.Excelliance MOS
Excelliance MOS

Quick jump to:

EMB2  1N4  2N2  2SA  2SC  74H  ADC  BC  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA 


DataSheet39.com is an Online Datasheet PDF Search Site.
It offers a large amount of data sheet, You can free PDF files download.
The updated every day, always provide the best quality and speed.



keyword : EMB21A03G schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, manual

DataSheet39.com   |  2019   |  Privacy Policy |  Contact Us  | New  |  Search