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PDF EMB21A03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB21A03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB21A03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
21mΩ 
ID  7.5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB21A03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
7.5 
5.5 
30 
Avalanche Current 
IAS  10 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
2.8 
1.4 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
0.8 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2012/10/25 
p.1 

1 page




EMB21A03G pdf
 
 
  10
I D  = 8A
 
8
 
Gate Charge Characteristics
VD  S   = 5V
10V
15V
 6
 4
 
 2
 0
0
 
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
16
  EMB21A03G
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
30
  Maximum Safe Operating Area
  100
R D S ( O  N  ) Limit
 
10
 
1ms
10ms
100μs
 
1
 
100ms
1s
10s
DC
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J  A = 125° C/W
  T A  = 25° C
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
  0.1
0.05
 
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J A  =125° C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2012/10/25 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB21A03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB21A03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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