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PDF EMB45A06G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB45A06G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB45A06G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
RDSON (MAX.) 
45mΩ 
ID  6A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB45A06G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
6 
4.5 
24 
Avalanche Current 
IAS  15 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
7.2 
3.6 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
0.8 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=10A, Rated VDS=60V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2012/10/25 
p.1 

1 page




EMB45A06G pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 6A
 
8
  V D S   = 15V 30V
 6
 4
 
 2
 0
0 3 6 9 12 15 18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
  EMB45A06G
1500
1350
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  100
Maximum Safe Operating Area
  10 R D S ( O N  )  Limit
 
 1
 
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  JA   = 125°C/W
  TA   = 25°C
100μs
1mS
10mS
100mS
1S
DC
  0.01
0.01
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
  Transient Thermal Response Curve
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125° C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
10
100 1000
t 1 ,Time (sec)
2012/10/25 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB45A06GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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