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PDF EMB60A06G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB60A06G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB60A06G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
RDSON (MAX.) 
60mΩ 
ID  5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
Avalanche Current 
IAS 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=5A, Rated VDS=60V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
EMB60A06G
LIMITS 
±20 
5 
3.6 
20 
12 
7.2 
3.6 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
2013/11/8 
p.1 

1 page




EMB60A06G pdf
  EMB60A06G
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 5A
 8
 
 6
VD S  = 15V 30V
 4
1000 Capacitance Characteristics
900
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
800
700
600 Ciss
500
400
 
 2
 0
03
6
9
12 15
18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
300
200
100
0
0
Coss
Crss
10 20 30 40
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
50
60
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
  10 R D S ( O N  )  Limit
100μs
  1ms
 1
10ms
100ms
  1s
DC
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  JA   = 125° C/W
  TA   = 25° C
  0.01
0.01
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
Transient Thermal Response Curve
  0.05
0.02
  0.01
0.01
 
Single Pulse
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125° C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2013/11/8 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB60A06GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60A06SField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB60A06VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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