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PDF EMB35N04V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB35N04V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB35N04V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
28mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
2013/9/3 
 
 
EMB35N04V
LIMITS 
±20 
12 
9 
48 
8 
3.2 
1.6 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB35N04V pdf
  EMB35N04V
 
 
 
10
  I D  = 8A
Gate Charge Characteristics
 8
 
6
 
VD  S   = 15V 20V
 4
Capacitance Characteristics
800
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
600
Ciss
400
 
2
 
 
0
0
 
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge(nC)
16
200
0
0
Coss
Crss
10 20 30
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
40
 
 
100
Maximum Safe Operating Area
   10 R D S  ( O N  ) Limit
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 1
 
  0.1
VG  S = 10V
Single Pulse
R  J  A = 50°C/W
  TA   = 25°C
1s
10s
DC
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/9/3 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB35N04AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB35N04CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB35N04JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB35N04VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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