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PDF EMB06N03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB06N03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB06N03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
6mΩ 
ID  18A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB06N03G
LIMITS 
±20 
18 
12 
72 
20 
20 
10 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2012/3/12 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB06N03G pdf
  EMB06N03G
 
 
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  1 2 ID = 1 8 A
10 4
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
  10
 8
 6
 
4
 
2
 
 0
0
 
V DS =5V
15V
10V
15 30
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
45
10 3
10 2
C is s
Co ss
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
30
 
100
Maximum Safe Operating Area
  R D S  (O  N  ) Limit
  10
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 1
1s
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
  10s
  0.1
VG  S = 10V
Single Pulse
R  J A  = 50°C/W
  TA   = 25°C
DC
0.01
  0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
  0.2
0.1
0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
t 1 ,Time (sec)
2012/3/12 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB06N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03GHField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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