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PDF P2610ADG Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P2610ADG | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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P2610ADG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
26mΩ @VGS = 10V
ID
50A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
50
35.5
150
Avalanche Current
IAS 53
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
140
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
128
51
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
0.97
62.5
UNITS
°C / W
Ver 1.1
1 2013-3-22
1 page  
P2610ADG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.1
5 2013-3-22
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P2610ADG | N-Channel Field Effect Transistor |  NIKO-SEM |
| P2610ADG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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