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PDF D882M Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | D882M | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | SHENZHENPENGAI | |
| Logotipo |  |
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深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
D882M
主要用途：
高频放大电路、应急灯、电动玩具控制电路。
主要特点：
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
封装形式：
TO-126
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值（TC=25℃）
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性（TC=25℃）
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
≥40
≥30
≥6
3
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=30V IB=0
Vcb=40V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=2V Ic=1A
Ic=2A Ib=0.2A
Vce=5V Ic=0.1A
f=10MHz
额定值
最小值
最大值
30
40
6
20
10
10
100 400
0.6
50
单位
V
V
V
uA
uA
uA
MHZ
Http://www.paisemi.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| D882 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors |  ETC |
| D882 | Si NPN Transistor |  Wuxi Youda Electronics |
| D882 | PNP TRANSISTOR |  Stanson Technology |
| D882 | Plastic-Encapsulated Transistors |  TRANSYS Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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