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PDF A1SHB Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza A1SHB
Descripción P-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor
Fabricantes SLS SEMICONDUCTOR　
Logotipo SLS SEMICONDUCTOR Logotipo



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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SLS 2301 (P-Channel Enhancement mode)
印章/MARKING:A1SHB
特点/Features：
1、 开关速度快；
2、 导通电阻低；
用途/Applications：
用于一般开关和低压电源电路。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
漏极-源极电压/Drain-Source Voltage
栅极-源极电压/Gate-Source Voltage
漏极电流（持续）/Continuous Drain Current
漏极电流（脉冲）/Pulsed Drain Current
耗散功率/Power Dissipation
热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient
结温/Junction Temperature
储存温度/Storage Temperature
符号/ Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RθJA
Tj
Tstg
数值/Value
-20
±8
-2.3
-10
0.35
350
150
-55～150
单位/Unit
V
V
A
A
W
℃/mW
℃
℃

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
A1SHBP-Channel Power MOSFETOPSKY
TOPSKY
A1SHBP-Channel 20-V(D-S) MOSFETYANGJING
YANGJING
A1SHBP-Channel Enhancement mode Field Effect TransistorSLS SEMICONDUCTOR
SLS SEMICONDUCTOR
A1SHBP-Channel Trench Power MOSFETH&M Semiconductor
H&M Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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