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PDF BSZ018NE2LSI Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BSZ018NE2LSI
Descripción Power-Transistor
Fabricantes Infineon 
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No Preview Available ! BSZ018NE2LSI Hoja de datos, Descripción, Manual

OptiMOSTM Power-MOSFET
Features
• Optimized for high performance Buck converter
• Monolithic integrated Schottky like diode
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• 100% avalanche tested
• N-channel
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ018NE2LSI
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
QOSS
QG(0V..10V)
25 V
1.8 mW
40 A
23 nC
36 nC
PG-TSDSON-8
(fused leads)
Type
Package
BSZ018NE2LSI PG-TSDSON-8 (fused leads)
Marking
018NE2I
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
V GS=4.5 V, T C=25 °C
40 A
40
40
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
40
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=60 K/W2)
22
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
160
Avalanche current, single pulse4)
I AS
T C=25 °C
20
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=20 A, R GS=25 W
80 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
Rev. 2.1
page 1
2013-04-25

1 page




BSZ018NE2LSI pdf
5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
300
10 V 4.5 V
5V 4V
3.5 V
200
100
3.2 V
3V
2.8 V
BSZ018NE2LSI
6 Typ. drain-source on resistance
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
3
3.5 V
2.5
4V
2 4.5 V
5V
7V
1.5
8V
10 V
1
0.5
0
012
VDS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
300
0
3 0 10 20 30 40 50
ID [A]
8 Typ. forward transconductance
g fs=f(I D); T j=25 °C
400
250
200
150
100
50
0
0
Rev. 2.1
150 °C
25 °C
1234
VGS [V]
320
240
160
80
0
50
page 5
40 80 120
ID [A]
160
2013-04-25

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BSZ018NE2LSn-Channel Power MOSFETInfineon
Infineon
BSZ018NE2LSIPower-TransistorInfineon
Infineon

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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