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3DD13009A8 Datasheet PDF - Huajing Microelectronics

Part Number 3DD13009A8
Description Silicon NPN Transistor
Manufacturers Huajing Microelectronics 
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产品概述
3DD13009 A8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A8
R
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
计算机电源
大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
12
100
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
12
24
6
12
2
100
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.25
62.5
单位
/W
/W
1/4



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Part NumberDescriptionManufacturers
3DD13009A8The function is Silicon NPN Transistor.Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD13009ANThe function is Silicon NPN Transistor.Huajing Microelectronics
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3DD1  1N4  2N2  2SA  2SC  74H  ADC  BC  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA 


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