3DD128FH6D Datasheet PDF - Huajing Microelectronics
Part Number | 3DD128FH6D | |
Description | Silicon NPN Transistor | |
Manufacturers | Huajing Microelectronics | |
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Preview 1 page No Preview Available ! 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD128F H6D
○R
产品概述
3DD128F H6D 是 硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,少子寿
命控制技术,集成了有源抗
饱和网络,提高了产品的击
穿电压、开关速度和可靠
性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot (TC=25℃)
200
3.5
50
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
3.5
7
1.75
3.5
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
2.5
83
单位
℃/W
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
1/ 4
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Part DetailsOn this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 3DD128FH6D electronic component. |
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Featured Datasheets
Part Number | Description | MFRS |
3DD128FH6D | The function is Silicon NPN Transistor. Huajing Microelectronics | |
Semiconductors commonly used in industry:
1N4148 |  
BAW56 |
1N5400 |
NE555 | | ||
Quick jump to:
3DD1
1N4
2N2
2SA
2SC
74H
BC
HCF
IRF
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