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PDF 3DD102C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD102C | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD102C
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 200V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier , DC Transform T-Shirt
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
250 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
200 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4V
IC Collector Current-Continuous
5A
PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 50
W
TJ Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.0 ℃/W
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD102 | NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor |  Shaanxi Qunli Electric |
| 3DD102 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 3DD102 | (3DD101 / 3DD102) NPN |  ETC |
| 3DD102A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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