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PDF FTD2058 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FTD2058 | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | First Silicon | |
| Logotipo |  |
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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
FTD2058
FTD2058 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Low VCE(sat): VCE(sat)=1.0V(Max.) (IC/IB=2A/0.2A)
Complementary to FTB1366
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
60 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current -Continuous 3 A
PC Collector power dissipation
2W
TJ Junction temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55-150
℃
TO-220F
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Min
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Switching
time
Turn-on Time
Storage Time
Fall Time
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
VBE(on)
fT
Cob
ton
tstg
tf
Ic=100µA, IE=0
Ic=50mA, IB=0
IE=100 µA, IC=0
VCB=60V, IE=0
VEB=7V, IC=0
VCE=5V, IC=0.5A
IC=2A, IB=0.2A
VCE=5V, IC=0.5A
VCE=5V, IC=0.5A
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
60
60
7
60
Typ
3
35
0.65
1.3
0.65
Max
100
100
200
1
1
Unit
V
V
V
µA
µA
V
V
MHz
pF
us
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
O
60-120
Y
100-200
2012. 02. 27
Revision No : 0
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FTD2058 | NPN Transistor | First Silicon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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